国家纳米科学中心纳米加工技术实验室

基本信息 开放实验室名称国家纳米科学中心纳米加工技术实验室
类型公共技术服务平台
认定部门国家纳米科学中心认定时间2013年11月
依托单位国家纳米科学中心
所属功能平台
所属领域电子信息
负责人
服务特色纳米加工技术实验室现有一条完整的纳米加工线,并于2013年开始对中心内、外服务,主要针对不同科研、企业用户制备各种微纳米结构和器件以用于基础研究或应用基础研究,或为企业提供小批量的实用微纳器件加工服务,以满足国家对与纳米加工相关的基础研究或应用基础研究的战略需求。作为研究型技术实验室,两年来通过研究人员和工程技术人员的共同努力,已具有最小尺寸为10纳米结构的加工能力和水平,并且不断加强对纳米加工极限工艺、新技术和新方法的深入研究。这种对工艺水平、技术方法突破的不断追求体现了本实验室对内外服务的特点和特色,具体表现在:1.侧重或优先服务于对纳米加工具有挑战性的基础或应用研究工作;2.为具有公益性质且一般纳米加工室技术水平难以完成的提供优先研究或加工服务,如与纳米加工相关国内还没有的技术标准或标准物质;3.为中心内外提供纳米加工专业技术人才的培养或培训,是纳米加工技术人才培养教育的功能平台;4.是对全国完全开放的服务平台,目前对全国各地接近300余用户开放服务,真正具有国家级开放平台的功能,体现了国家纳米科学中心的功能定位;5.为广大科研、企业用户提供加工服务的同时,也提供与纳米加工相关的技术咨询服务。
科研队伍和骨干专家目前研究员1名,高级工程师3名,工程师4名,助理工程师1名,博士后1名,博士生2名,共12名。实验室注重研究队伍建设,其中3名高级工程师主要分布在电子束曝光、光学曝光以及刻蚀工艺区。主要是针对极限纳米加工工艺、技术和方法的研究,同时招收博士后研究人员和博士生以加强纳米结构和器件的研究。
科研成果国家纳米科学中心纳米加工室在两年多时间里主要开展了纳米光学器件、光学薄膜以及其表征方法学以及极限尺寸纳米工艺的研究。其中极化光栅已经成功应用于CCD成像系统,消光比高达80。在光学薄膜如多层膜的透光性研究上取得了重要进展,为各种在恶劣环境下光学仪器或设备的使用提供了保障。同时我们也发展了一种用光学椭偏仪测量超厚薄膜的新方法,测量灵敏度提高了近40倍,为各种超厚膜的无损检测提供了新技术和新方法。在极限工艺的研究上也取得了一定的突破,成功实现了10纳米结构的转移,为近极限尺寸纳米结构的制备奠定了很好的技术基础。两年内共申请各类专利总计24项。
代表仪器设备

名称1

电子束曝光系统(EBL)

原值(万元)

1085.50

厂商及型号

Vistec EBPG 5000+ES

主要性能

参数

图形发生器频率25   MHz 

束斑位置稳定性<   50 nm/h

束流稳定性<±0.5%/h

主场稳定性<   40 nm (400 μm 主场)

场畸变<±15   nm(400 μm 主场)

分辨率<8nm线宽   (@100kV)                                       <±3 nm  (100 μm 场内10nm线宽变化@100kV)  

±3 nm  (250   μm 场内15nm线宽变化@100kV)

场拼接精度

±15nm   (100 μm 主场@100kV)                                                          ±20nm (250μm主场@100kV)                                                          ±25nm (400μm主场@100kV)

套刻精度

±15nm   (100 μm主场@100kV)                                                     ±20nm (250μm主场@100kV)                                                     ±25nm (400μm主场@100kV)

直写精度

±15nm   (100μm主场@100kV)                                                          ±20nm (250 μm主场@100kV)                                                          ±25nm (400μm主场@100kV)

功能用途

各种碎片、50 mm100 mm基片微纳米图案的直写,最小线宽<10   nm

各种光学光刻模板的制备

名称2

高密度等离子体刻蚀机

原值(万元)

237

厂商及型号

SENTECH PTSA ICP-RIE ETCHER SI 500

主要性能

参数

载片:4寸及4寸以下;

气体Cl2BCl3HBrCHF3SF6ArO2N2  

ICP等离子源:0-1200W

RF偏置电源:0-600W

温控:氦气背冷,-30-200

功能用途

纳米硅、金属材料、金属氧化物薄膜、有机聚合物薄膜的刻蚀。

名称3

高密度等离子体增强化学气相沉积设备

原值(万元)

263.0

厂商及型号

SENTECH SI 500 D

主要性能

参数

适用基片尺寸4英寸整片和小碎片;温度范围RT-300;电源   RFICP;反应气体:SiH4   5% Ar 95% NH3 CF4   ArO2N2;制备材料:SiO2Si3N4、非晶Si;系统极限真空1E-5pA;膜厚均匀性<±3%

功能用途

制备介质层薄膜。


专业服务机构名称北京科岳中科科技服务有限公司
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