射频芯片及模块研发实验室

基本信息 开放实验室名称射频芯片及模块研发实验室
类型北京市重点实验室
认定部门北京市科学技术委员会认定时间2011年
依托单位中国科学院微电子研究所
所属功能平台物联网产业技术支撑平台;高性能集成电路(IC)技术支撑平台
所属领域电子信息
负责人
服务特色实验室从事射频/微波集成电路及相关模块研究。实验室依据新一代移动通信、短距离无线通信、卫星通信及物联网等领域对射频技术的需求,与系统研制单位密切配合,开发出多款具有自主知识产权的 RFIC和MMIC,部分芯片和模块成果在国家工程中获得应用。实验室具有十多年微波和射频IC技术积累,电路设计基于国内外Foundry的各类RFIC和MMIC工艺,包括40nm、65nm、0.13µm、0.18µm、0.35µm Si CMOS;0.13µm、0.18µm、0.35µm SiGe BiCMOS;0.15µm、0.25µm、0.5µm GaAs pHEMT;GaAs HBT。实验室建立了内容丰富的射频模拟IP库,内容涵盖LNA,PA, Mixer, PLL, FDLL, LPF, VGA,LDO,ADC,DAC等电路单元和各类标准的Transceiver。此外,实验室还拥有功能丰富的射频模拟电路测试环境。
科研队伍和骨干专家实验室有在职科研与专业技术人员30余人,研究生40余人。
骨干专家:张海英,工学博士,研究员,博士生导师,中国电子学会高级会员,国家无线通讯个域网标准组成员,EDL审稿专家,中科院微电子研究所射频集成电路研究室主任。主要研究方向为射频集成电路设计、微波单片集成电路研制、毫米波器件和微波模块研制工作。
科研成果1、多模多频硅基射频芯片设计和模块研制 。开展了GSM、TD-SCDMA、WCDMA、TD-LTE、IMT-Advanced多模多频移动通信射频芯片和模块的研发,多款射频芯片和模块在系统中与基带联调成功。 2、GaAS微波单片集成电路设计与模块开发 。设计成功多款MMIC,工作频率覆盖1GHz到60GHz,包括GaAs功率放大器、低噪声放大器、混频器、微波开关、压控振荡器。 26~40GHz低噪声放大器芯片通过国家标准所检测,PA模块实现了产业化。基于自主芯片的60GHz射频前端模块,成功实现与系统的连调并完成了数据传输试验。 3、射频/模拟集成电路IP库建设。已形成的CMOS射频IP库涵盖了各类通信系统收发机前端芯片,包括PA,LNA,Mixer,PLL,VGA,LPF等功能电路和CMOS接收/发射机SoC IP硬核。涉及工艺包括65nm、0.13µm、0.18µm、0.35µm Si RFCMOS;0.13µm、0.18µm、0.35µm SiGe BiCMOS。
代表仪器设备

名称1

PXA信号分析仪

原值(万元)


厂商及型号:

Agilent N9030A

主要性能参数:

频率范围:3Hz-26.5GHz;无杂散动态范围75dB;可选分析带宽140MHz;幅度精度±0.19dB;显示的平均噪声电平(DANL)-172dBm;三阶动态范围21dBm。

功能用途:

信号分析


专业服务机构名称北京科岳中科科技服务有限公司
负责人郭庆山联系人崔洪梅电话82628024
邮箱cuihongmei@nctt.ac.cn邮编100086
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